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2018年战略先进电子材料的关键特别项目声明指南

作者:欢乐生肖 发表时间:2019-09-17 14:20

  为实、施“国家中长期科技,发展规划纲要”和“中国制造2025年”提出的任务。国家重点研发项目启动了战略先进电子材料的实施。根据这一关键项目!的部署,现在发布了2018年项目申报指南。

  这一关键项目的总体目标是对节能,、环保、智能制造、新一代信息技,术领域战略,性先进电子材料的迫,切,需求。支持中,国2025年互联网等国家重大战略目标,针对全球技术和工业产业发展的高点,抓住中国过渡的历史发展机遇。第三代半,导体材料,和半导体照明新型显示的核心是大功率激光材料和设备的高端光电子和微电,子材料。通过系统机制创新,跨境技术的集成,构建了,基本研究与尖端技术重大共同关键技术的全创新链,并进行了集成组织的实施。培养多个创新的创业团队,培养一批具有国际竞争力的领先企业,形成自己独特的工业基地。

  本重点是根据第三代半导体材料。和半导体照明新型显示的大功率激光材料和设。备的。高端光电子。和微电子材料。共部署了35项研究任务。特别执行期为5年(2016/2020)。

  2016年,在四项技术方向上启动了。27项研究任务。20!17年,在四个技术方向启动了15项研、究任务。2018年,在四个技术!方向、启动了五项研究任务。建议安排12/24项目的国家拨、款总额为1.77亿元。企业主导的项目和典型的应用示范项目必须为支持资金的总金额和国家拨款的总;金额不少于,1%。

  项目申。报应按指南二级标题(如1.1)的研究方向进行。除特别说明外,所。有项目的数目均为1项/2项。该项目的实施周期不超过。4年。申报项目的研究内容应涵盖二级标题指南中列出的所有评估指标。原则上。,项目中的项目数目不超过5个,每个项目的参与单位原则上不超过5个。项目负责人为项。目各项目。的。项目负责人。

  指南中提出的项目数为,1:2,这,意味着在同一研究方向下,当申报项目评审结果的前两种类似技,术路线明显,不同时。这两个项目可以同时支持。这两个项目将分为两个阶段。在第,一阶段完成后,将根据评估结果,对两个项目的执行情况进,行评估,以确定后续支持模式。

  研究表明,钻石氧。化镓氮化硼等超宽禁区半。导体单。晶衬底和延伸材料的生长掺杂缺陷控制和光。电性质的研究。对材料加工和设备的关键工艺进行了研究,并对上述超宽半导体材料。进行了开发。

  ,评估指标。钻石半导体单晶衬底和外延材料直径≥2英寸X射线摆动曲线衍射峰半高宽≤50arcsec侧根表面粗糙度≤1nm。金刚石p型空穴浓度≥1×1018,cm-3,n电子浓度≥1×1016cm-3..非掺杂金刚石室温电子和空穴迁移率分别为3000cm2,/V和2500cm2/V。开发了金刚石原型电子设备和深紫外线光电设备,氧化镓单晶材料直径≥,3英寸,错误密度为,104厘米。开发氧化镓金,属-氧化物半导体场效应晶体管(Mosfet)装置,击穿电压≥1000V导电阻≤2mmcm2。制,备优质氮化硼外延膜,研制波长≤23,0nm的氮化硼深紫外光电探测装置开关比例为≥5≤103。申请15项专利发表20,篇论文。

  研究表明,基于,量子点结构的单光子发射装置是可控的。研究了氮化物半导体跃迁量子阱结构的延伸生长和紫外线红外双色探测装置,研究了氮化物半导体太,赫兹,的发射和探测装置。研究氮,化物半,导体自旋,转和自旋场效应,晶体管。

  评价指标:基于氮化物半导体量子结构的光泵PU紫外线或蓝光波段室温单光子源的二级。相关性为0.3。氮化;镓(GaN)基3/。5μm红外探测设备工作温度≥77K,实现紫外线、红外双色探测设备的单片集成。;实现0.3THZ室温≥工作的GaNKeitan。Hz发射和检测设备的输出功率为≥8。氮化物半导体自旋场效应晶体管原型装置自旋注入效率为≥8%。申请15项专利发表20篇论文。

  研究表明,激光照明采用了第三代半导体激光器,研究了适合激光高功率。密度的荧光材料,开发了激光照明光学系统。和应用产品。。研究了基于单芯片技术的全。光谱白光照明材料和设备,对非晶体衬底石墨烯。等插入层中高质量氮。化物半导体的外延生长进行了研究和开发。对基于新型有机。无机钙钛矿材料的高效LED进行了研究.

  评价指标:激光暖白光照明(300,0K),至冷白光(6,000K)范围内的色温可调颜色指数为85。开发车辆激光照明等应用产品,单芯片全光谱白光设备效率为≥100l,m/W,颜色指数为90。基于新型非晶体衬底的,氮化镓LED芯片量子效率为≥40%,钙钛矿LED亮度为≥105cd/m~2外量,子效率≥20%..申请20项专利发,表15篇论文,。

  研究内容:设计三基。色激光显示整机生产。示范线的过程,对工艺设备。进行检测。示范线包括:整机关键工艺设备的设计和开发、高效激光驱动系。统的自动检。测技术和平。台、激光显示点等干扰检测技术和设备的开发。。视频信。号保真响应自动化测试系统和平台。

  评价指标:三基色激光显示机生产示范线的生产能力达到100000台/年生产合,格,率≥90,%。其,中100英寸高清三基色激光电视色域≥160%NTSC成本5万元激光工程投影仪最高光通量>;105LM..

  研究表明,三基,色液晶材料和设备生产示范线的设计是为了进行批量生产技术的研究。示范线包,括:材料制备结构设计和延伸生长芯片设备和设备包装在线检测和老化筛眩通过对LD关键工艺技术的引入、连接、匹配、优化和扩展,对生产示,范线进行了研究。在批,量生产条件下,,LD产品的一致性、稳定性和重复性可控制备技术提高了产品,的产量,降低了产品的生产成本。

  。评价指标:用于激光显示。的三基色LD材料和设备生产示范线。450nm波段蓝光520nm波段绿光和。640nm波段红光半导体激光产能示范达到5000。万年规模.。.生产合格率:蓝光LD≥50%绿光LD≥30%红光LD≥70%..生产成本降低到每瓦25元以下的蓝光LD,绿色LD低于每瓦120元,。红色LD低。于每瓦28元。

  本。研究的内容是对高精度铁轨障碍物激光测量的新方法进行。研究。对轨道障碍物激光监测报警系。统在轨道检测领域的应用进行了示范研。究。对障碍和疑似障碍进行了智能分析和判断,包括落石分支动物行人列车,探索了对行车安全。构成威胁的障碍判。断算法。开发可以满足各种气象条件,实现长期值班,自动发现线路障碍,可以为过去的列车提供预警信息。

  评价,指标:激光监测系统,工作环境温度:,-45,°C~65°C;系统工作最大相对湿度≥80%;角度分辨率0.1°..距离,定位精度优于±10cm准测率≥9%轨道最,大监控距离≥100mm×50mm目标..虚警率3%..漏报率=,0申请发明专利5,项..

  研究表明,超短脉冲激光和半导体,芯,片材料的作用机制,是研制用,于硅碳化硅蓝宝石等材料的激光隐形切割系统。对高速自,动聚焦和动态关键补偿,技术进行了研究,并,对智能厚度跟踪和切割技术进行了研究。对超短脉冲激光动态光束成形技术和多焦点点聚焦点点点点光斑光学设计系统进行了研究,实现了超短脉冲激光在半导体芯片中的应用示范研究。

  评价、指标:开发激光隐形切割系统,实现硅SiC蓝宝石等材料的无形切割。精度,优!于3μm切片速度≥5!00mm,/s。动态直线度为±0、.5。MM动态平面度可在;光轴方向形成2个以上的可变焦点,可变焦点能量和能量分布可调。申请5项以上的专利。

  研究表明,对基于特殊激光光源的肿瘤和血管疾病的目标光动力进行了诊。断。和治疗。对肿瘤和血管疾病目标光动力综合治疗的临床应用进行了研究。提供。了减少激光消融牙硬组。织热损伤的技术方法。

  评价指标:肿瘤目标激光波长400nm波段和630nm波段光斑(Φ100mm≤)能量密度不均匀±≤5%。早期肿瘤有效率为9!0%,晚期肿瘤有效率为60%,眼科和皮肤,科血管靶向激光波长为510nm,输出功率为;10W。光斑(Φ00mm)能量密度不均匀性≤±5%,治疗有效率为≥98%,牙科,治疗的,峰值功率为≥300kW。脉宽≤150ns重频≥50!Hz激光消融牙的热损伤范围为40μm。申请10项专利。

  研究表明,在熔,凝过程中对金属粉末材料的物理化学过程进行了研究,并对高性能钢激光熔化过程中的综合力学性能进化机制进行了研究。,对大功率光纤耦合半导,体激光表面强化在风电轴,承领域的应用进行了研究。

  评价指标:开发大功率激光表面强化应用设备直径≥。3m的超大型风电主轴承激光淬火变形≤0.3mm。淬火宽度为≥1。00。mm,主轴承。应用示范为5×8mW,单道激光熔覆厚度为≥3mm,稀释率为≤5%。热影。响区深度≤0.5mm基体变形≤1mm/10。0mm。申请超过10项专。利。

  本文对短脉冲激光与涂层材料的相互作用进行了研究。对移动,高峰功率准连续,激,光清洗设备进行了研究,并,对飞机蒙皮涂层的逐层清洗进行了研,究。

  评价指标:开发。大功率激光清洗。应用设备,距离2。0m抛光机蒙皮单层清洗速度≥5m2/h基材表面保护性氧化无损。单层清洗厚度。为100..M..清洗。后单位面积表面残余物≤5%,。基材瞬时温度80°C..申请10。项专利。

  研。究内容:研究高密。度新型存储器材结构。单元与阵列制造的关键技术。包括存储单元和互补金属氧化物半导体(cmos)电路的匹配、互连性和集成芯片周边电路的设计、包装和。测试。研究了不同存储装置的尺寸效应、微缩性能、三维存储阵列的整体过程,研究了新。型存储装置材料和装置的热稳定性和可靠性。优化了控制方法。和电路结构,开发了高密度存储芯片,验证了其存储性能。

  评价指标:实现与CMOS技术兼容的高。密度存储技术;解决高密度存储电。路的共同关键技术,建立外围电路模块的共同设计技术。突破存储器可靠性测试技。术,建立存储故。障模型,获得信息存储与处理相结合的。解决方案,存储单位面积为6.4×10≤3M2。。擦拭速度小于50ns,读取速度小于25ns。,保持功能&。gt;100。h@1。50oC。三维堆叠层的数量。为≥8,存储芯片的密度为1.5GB/cm2。申请10项专。利发表20篇论文。

  研,究,表明,对新型磁性隧道结构材料及其设备结构进行了优化,研究了磁性随机存储器在多物理场合作下的,低功耗。研究了电流驱动磁随机存储单元和阵列制造的一套关,键技术。,研究了与主流12英寸CMOS晶片技术兼容的磁性隧道结,的纳米图形和蚀刻设备。实,现了与12英寸磁电子技术相匹配的CMOS芯片控制电路设计,开发了高密度磁存储芯片,。

  评。价指标:开发2/3实用高密度磁随机贮存材。料和贮存设备。开发高速低。能耗随机存储器(基于自旋转矩效应或自旋转矩效应)芯片。芯片中磁性隧道结(阵列)存储单元室温隧道穿磁电阻比值为150%,读取时间为30ns。,电压为1V。。可重复擦拭次。数>;1015。室温数据保存时间>;10年..申请15项专利,发表30篇论文。